重磅！英伟达联手台积电押注碳化硅，下一代AI芯片性能要起飞
据外媒爆料，为了追求极致性能，英伟达计划在其下一代Rubin处理器（或基于此架构）的先进封装技术（CoWoS）中，将关键的中介层材料替换为碳化硅（SiC）衬底！台积电正紧锣密鼓推进相关研发。
为何是碳化硅？它凭啥被巨头看中？
“硬核”材料： SiC属于第三代半导体材料，天生“骨骼清奇”——耐高温、耐高压、宽禁带，天生为高性能、高频、高功率场景而生。
解决痛点： 在CoWoS这样的先进封装中引入SiC，有望显著提升芯片散热能力、降低功耗、提升可靠性和信号传输效率，为算力怪兽“降温提速”！
碳化硅衬底：半导体升级的关键基石
两种类型： 导电型： 主攻功率器件（电动汽车快充桩、光伏逆变器、服务器电源...）。 半绝缘型： 主攻射频器件（5G/6G基站、雷达...）。
制造不易： 从合成原料（高纯硅粉+碳粉）、晶体生长（主流PVT法）、精密加工抛光到外延生长（CVD法），每一步都是高技术壁垒。
全球格局：海外主导，国产加速追赶！
海外巨头：Wolfspeed、Coherent(II-VI)、罗姆、意法、英飞凌等占据高端市场。
国产力量崛起：
天岳先进： 国内龙头，全球前三！首家实现12英寸衬底量产！ 露笑科技： 6英寸量产中，8英寸中试突破！ 晶盛机电： 设备+材料通吃，8英寸衬底量产！
三安光电： IDM模式，全链条布局！
天富能源（参股天科合达）： 导电型衬底国内市占第一！
总结：
1. 巨头动向： 英伟达+台积电联手在CoWoS中用SiC，预示先进封装材料革命来临！ 2. 材料优势： SiC的耐高压高温、宽禁带特性是突破性能瓶颈的利器！ 3. 技术壁垒： 衬底制备（尤其大尺寸、低缺陷）是核心难点，价值极高！ 4. 国产机遇： 天岳、露笑、晶盛等企业进展迅速，自主替代空间巨大！
