光刻机重大突破，有个初创性企业叫宇量升。交给中芯国际的一台EDU光刻机。本来是想

光刻机重大突破，有个初创性企业叫宇量升。交给中芯国际的一台EDU光刻机。本来是想让他测28纳米制程，结果通过多重图案化技术甚至能试产7纳米，现在尝试冲击5纳米。不得不说，中国光刻机，逐步走向突破。这是不争的事实。 宇量升作为初创企业，此前在光刻机领域鲜少被关注。其研发团队多来自半导体设备行业，核心成员有过参与封装测试设备研发的经历。这台 EDU 光刻机的诞生，最初定位是中低端市场，用于成熟制程的芯片生产辅助。 设备采用的深紫外光刻技术，虽与荷兰 ASML 的极紫外光刻技术存在代差，却通过独特的光路设计提升了成像精度，为后续突破埋下伏笔。 中芯国际接收这台设备时，原本计划用于 28 纳米芯片的良率优化。28 纳米制程是当前市场需求旺盛的成熟工艺，广泛应用于汽车电子、物联网设备等领域。 测试过程中，工程师尝试叠加多重图案化技术，通过多次曝光的方式提升光刻精度。没想到经过参数调整与流程优化，晶圆上的电路线条宽度逐渐缩小，最终稳定在 7 纳米级别，达到了试产标准。 多重图案化技术的应用成为关键。这种技术通过将复杂电路拆解成多个简单图案，分多次曝光到晶圆上，以此突破单台光刻机的物理精度限制。 宇量升的 EDU 光刻机在光路稳定性与曝光节奏控制上表现出优势，能精准配合多次曝光的流程。中芯国际的测试数据显示，采用该技术生产的 7 纳米芯片，关键性能指标已接近行业主流水平，满足部分中高端芯片的使用需求。 当前全球光刻机市场仍由西方企业主导，ASML 的极紫外光刻机占据高端市场主导地位，其设备售价高达上亿美元，且对使用场景有严格限制。 中国每年进口芯片的花费超过数千亿美元，70% 的芯片销量来自国内市场，这种庞大的需求成为推动本土光刻机研发的重要动力。宇量升的突破并非个例，国内已有多家企业在光刻胶、掩模版等配套领域取得进展，形成了协同发展的态势。 冲击 5 纳米制程的尝试已在紧锣密鼓推进。中芯国际的研发团队在 7 纳米试产基础上，进一步优化多重图案化技术的流程，同时与宇量升合作调整光刻机的光路参数。 无尘车间里，新一批晶圆正在设备中进行曝光测试，工程师们通过显微镜观察电路细节，记录下每一次参数调整带来的变化。虽然 5 纳米制程面临的技术挑战更大，需要解决更复杂的图案叠加与精度控制问题，但前期的突破已积累了宝贵经验。 市场需求对技术发展的推动作用在这一过程中体现得尤为明显。汽车电子领域对芯片的需求持续增长，部分车型因芯片短缺导致生产延误，而 28 纳米及以下制程的芯片供应紧张，促使国内企业加快技术突破。 宇量升的 EDU 光刻机在测试中展现出的潜力，已吸引多家芯片设计公司关注，有企业开始洽谈合作，希望利用该设备进行中高端芯片的小批量生产。