内存芯片产业趋势 内存「超级循环」将延续至2027-28年。主要催化剂来自芯片供给持续偏紧，以及AI芯片需求强劲成长。虽然资本支出大幅上升，但实际芯片生产量即使到了2027-28年也很难显著增加。主要有三个原因： 1. HBM（高带宽内存）将持续占用较传统DRAM大3-4倍的产能； 2. 更高附加价值的芯片（例如HBM4e、SOCAMM、LPDDR5、GDDR7、eSSD等）以及先进封装技术（热压合或混合键合），其制造周期大幅拉长； 3. 高阶内存规格（例如数据传输速度13Gbps以上、工作电压1.1V以下）的良率偏低。

大多数芯片厂商目前预估，即使新厂房陆续投产，2028-30年间DRAM与NAND的位 年成长率仍将低于20%。 同时观察到，更先进的GPU与ASIC能够轻易消化新厂房释放出来的增量内存产能，甚至可能进一步加剧供给短缺（以Rubin Ultra为例，其HBM用量较目前的Blackwell Ultra高出3倍）。

此外，对于2025年下半年及2027-28年的ASP假设相对保守（即2025年下半年至2026年上半年上涨后，不再出现大幅上涨）。但若严重芯片短缺状况持续，实际ASP可能高于我们的预期。

自3月以来，市场表现强劲，韩国半导体出口年增151%，南亚科技（Nanya Tech）单月营收年增560%，以及美光（ Micron ）对5月底季度给出乐观指引（季增40%，毛利率81%）。因此，预期内存芯片产业至少在2026年第一季与第二季，将创下销售额与营业利益的新高纪录。