三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。他还透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证。