SiC的技术演进是一个逐层补短板的过程：当芯片能承受更高温度和更高功率密度以后，封装要跟上；封装跟上以后，热界面和引脚要跟上；这些都跟上以后，客户系统才有机会获得更高功率、更小体积和更长寿命。

：《英飞凌SiC功率循环技术分析》 英飞凌SiC功率循环技术分析