"杀不死"的中芯国际，终成国产芯片一哥。单论工艺，中芯国际和台积电是小学生和大学生的差距，如果加上华为的logicfolding技术就是高中生和大学生的差距。n+3工艺，中芯国际距离台积电有7年差距，今年在logicfolding技术加持下，可以做的n4p到n3左右的能效和密度水平，离台积电有4年差距。
"杀不死"的中芯国际，终成国产芯片一哥。单论工艺，中芯国际和台积电是小学生和大学生的差距，如果加上华为的logicfolding技术就是高中生和大学生的差距。n+3工艺，中芯国际距离台积电有7年差距，今年在logicfolding技术加持下，可以做的n4p到n3左右的能效和密度水平，离台积电有4年差距。
