先说结论（2026行业共识）：
按技术路线分开，不能简单一句话说谁最强，二者壁垒完全不一样：

 

一、先把两条堆叠路线分清（最重要）

1）2.5D 硅中介层堆叠（CoWoS 路线，AI大芯片主流）

结构：GPU裸片+HBM，铺在硅中介层TSV上面，这是英伟达、国产大算力芯片的标准方案。

- 盛合晶微：大陆断层第一
国内唯一能量产大尺寸12英寸硅中介层（TSV+RDL），对标台积电CoWoS-S/L，SmartPoser平台。
微凸块20μm、支持8颗HBM3E合封，国产2.5D硅基封装市占80%+，华为昇腾、壁仞、寒武纪高端AI基本是它主力封装。
中道Bumping、整片晶圆RDL、TSV中段工艺，国内没有第二家能同规模量产。
- 长电、通富、华天：做RDL扇出型2.5D（无硅中介），不是真正CoWoS路线，带宽、面积上限低一档。

一句话：带硅桥TSV的高密度2.5D堆叠，盛合晶微国内最强，没有对手。

2）3D垂直堆叠（铜铜混合键合 HB、晶圆对晶圆W2W、逻辑折叠LogicFolding）

垂直叠芯片，不是平铺，是未来3D IC终极路线。

- 盛合晶微：国内唯一具备1.5μm超细铜铜键合W2W整片堆叠量产能力（中道工艺），能做华为LogicFolding方案的配套，长电做不了整片晶圆级HB，只能做芯片对晶圆D2W。
- 长电科技：XDFOI很强，优势在HBM存储堆叠、大扇出Chiplet、系统级SiP，8层HBM良率国内第一，综合封装品类最全，但晶圆级铜铜键合弱于盛合。

3）HBM内存堆叠（单纯存储叠片）

这块是长电科技绝对龙头，国内市占90%，8层、12层HBM3E量产良率行业第一，盛合几乎不做HBM堆叠。

 

二、四家国内先进封装横向总结（精简版）

1. 盛合晶微（专精路线）
强项：硅中介层2.5D CoWoS、晶圆级Bumping、整片W2W铜铜键合3D堆叠、中道TSV，AI大算力异构堆叠国内技术天花板。
短板：不做HBM存储堆叠、综合营收体量小于长电。
2. 长电科技（全能路线）
强项：HBM堆叠、扇出Chiplet、FC-BGA、CPO、SiP全品类全覆盖，客户最广。
短板：没有成熟量产硅中介TSV，只能做RDL扇出2.5D。
3. 通富微电：AMD绑定，大尺寸扇出封装强。
4. 华天科技：eSiFO扇出，先进封装尚在验证阶段。

 

三、一句话精炼答案

- 如果你说的堆叠 = AI大芯片2.5D硅中介层异构堆叠（对标台积电CoWoS）：盛合晶微国内技术最强，壁垒最高，大陆第一梯队，仅次于台积电、三星。
- 如果你说的堆叠 = HBM存储叠片、系统级扇出Chiplet：长电更强。
- 未来3D IC晶圆垂直铜铜键合赛道：盛合同样国内领先。

 

四、机构统一口径

大陆先进封装梯队：

- 台积电（全球独一档CoWoS）
- 第二梯队：安靠、盛合晶微（仅有的两家第三方2.5D硅中介量产）
- 第三梯队：长电、日月光、通富等（扇出为主）

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