长鑫存储投产新一代键合式DRAM生产线，与韩国技术差距“远超预期”地加速缩小

据《韩国经济日报》报道，长鑫存储（CXMT）位于合肥的DRAM中试线正在开展测试，生产高性能DRAM。产线不用EUV光刻机，而是用了键合式DRAM技术。（文中称合肥为“中国半导体产业的核心地带”，哈哈哈，居然这么说，但真不能说是吹牛了）

键合式DRAM是说，存储单元阵列与外围电路分别在不同的晶圆上制造，随后通过键合工艺将其集成在一起。这样，用DUV光刻机多重曝光就能生产超高密度DRAM。

三星电子在“B1b”项目下研发键合式DRAM，而SK海力士也在推进类似技术。韩国媒体指出，有分析认为，中芯国际目前在该项技术本身及研发进度上或已领先于其韩国竞争对手。

韩媒称，长鑫存储和长江存储两年前还只是在艰难生产低端芯片、每年亏损数千亿韩元，近期发生了翻天覆地的转变，并且“以远超预期的速度缩小了与三星电子和SK海力士之间的技术差距”。尽管受到美国技术管控，差距已从落后5年缩短至约3年。

合肥悄然启动了下一代“键合DRAM”研发线建设，力争在韩国竞争对手之前实现商业化。这个技术能最大限度地提升性能与容量，被视为“存储半导体领域的颠覆性技术”。据报道，公司明确目标是抢先韩国进入市场。

2026年第一季度，长鑫在全球DRAM市场的份额跃升至8%，据称正被考虑作为苹果公司的新DRAM供应商。

长鑫正积极布局HBM，已将约20%的生产线转用于HBM3/HBM3E研发，是DUV设备上用多重曝光技术。

长鑫存储与长江存储正筹备上市，前者或将于本月登陆上交所，获得资金推动产能扩张。

首尔国立大学教授黄哲成称，中国半导体是“韩国未来面临的最大威胁”。另一位教授警告说，一旦华为等中国AI芯片厂商开始实际应用国产存储器，良率与可靠性有望以超出预期的速度提升。一位浦项工科大学的教授认为，在美国制裁所催生的“黄金窗口期”结束之前，韩国必须在下一代存储与封装领域牢牢确立无可匹敌的技术领先优势。另外，华为于5月发布“韬定律”概念，通过缩短数据传输时间（而非单纯依赖晶体管微缩）来提升人工智能芯片系统的整体性能，这被视为一种颇具颠覆性的替代路径。

文章将“NAND闪存与混合键合专利空白”视为一个警示信号。目前，三星和SK海力士在200至300层以上的NAND存储器量产方面处于领先地位，是企业级固态硬盘等高价值产品的核心支撑。然而，当层数突破400层时面临物理极限，因此“晶圆对晶圆（W2W）混合键合”成为不可或缺的工艺，将两片晶圆直接融合的技术，可在芯片之间无需导电凸块即可实现垂直互连。

长江存储自主研发的“Xtacking”架构是全球首个实现商业化的同类技术，已从160层扩展至最新量产的270层NAND闪存。在核心专利方面，长江存储拥有119项，三星为83项、SK海力士为11项（数据截至2023年）。三星不得不与长江存储签署专利许可协议，以开发其下一代“V10”三堆叠NAND（430层以上）。

除内存当前的HBM技术周期外，文章还指出中国在CXL（Compute Express Link）DRAM领域进展迅速， 这被称作“后HBM”时代的技术。长鑫依托大规模生产服务器DDR5的丰富经验，正式启动CXL 3.0的研发，与国内无晶圆厂芯片设计企业Montage Technology合作获取CXL产品核心所需的控制器技术。

全球资本市场出现了新的风险：中国存储器产能与技术超越韩国。再过几年，庞大的存储器产能将导致又一次历史性的供过于求，这种产品归根结底不过是一种大宗商品。