2026年DRAM和NAND月产能增量为13万与15万片，整体需求增速达27%。
受“存储价格见顶”预期与“外部反垄断打压”影响，市场给予存储板块明年仅3-4倍PE的悲观定价。然而在AI算力驱动下，2026年下半年前供需依然紧缺，行业正从“涨价逻辑”切换至“扩产逻辑”。当前2026年
DRAM和NAND月产能增量仅13万片与15万片（增幅7%-8%），远难满足高达27%的整体需求增速。同时，HBM工序达传统DRAM3倍，消耗3万片产能仅产出1万片HBM，高转换成本保障其近90%毛利率并持续挤压传统产能。新建产能需至2027年中旬方能释放，今年Q4价格涨幅虽收窄但无崩盘风险。随着2028年半导体设备市场规模预计较2025年翻倍，投资主线正从存储颗粒制造向确定性放量的上游半导体设备及材料环节转移。关注：SK海力士/美光/长鑫科技（存储厂商，受益于HBM高毛利及传统产能紧缺），ASML（半导体设备，受益于存储扩产及设备大盘翻倍），中际旭创/新易盛（光模块厂商，受益于AI算力渗透及订单激增），澜起科技（接口芯片，受益于DDR5代际更迭及高溢价）