华为即将发布最新的麒麟9030芯片,性能方面比9020有明显提升,可能采用N+3工艺,晶体管密度可以达到5nm的水平,是自主制造还是代工模式尚不得知。据悉目前中芯国际的N+3工艺可以实现晶体管密度125MTr/mm,介于台积电N6工艺(113MTr/mm)与三星早期5nm工艺(127MTr/mm)之间,相当于台积电5.5nm的水平。以14nm工艺为基准(密度约35MTr/mm),N+3的密度提升幅度超过250%。目前光刻机应该已经实现一定的突破,国产芯片产业链在7nm等效水平以上应该完全自主可控了,未来更多代工厂就可以放开生产再也不怕制裁了。
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