640亿，SK海力士扩产3D NAND与HBM封装

SK海力士本周宣布，将向旗下清州园区追加 100 万亿韩元（折合 640 亿美元）投资，用于扩产厂区 3D NAND 闪存产能、扩建 HBM 高端封装产线。这笔投资规模庞大，将大幅新增产能，但新增产能要等到数年之后才能逐步投产。即便如此，该项目的投资额，和 SK海力士整体 7125 亿美元的韩国本土总投资规划相比仍相形见绌。
此次清州园区 100 万亿韩元（640 亿美元）投资，只是 SK海力士韩国全域 1100 万亿韩元（7125 亿美元）巨型投资蓝图的一部分。其中，公司计划向全新规划的西南半导体产业集群投入 400 万亿韩元（2595 亿美元），龙仁园区投资规模则达 600 万亿韩元（3893 亿美元）。尽管清州项目投资额远低于另外两大园区，但它是目前唯一披露完整细节的落地项目。