5年之后中国将可以不用依靠荷兰的EUV光刻机生产1nm芯片？想象一下，如果五年内中国芯片产业摆脱对国外高端设备的依赖，直接用国产技术生产出1纳米级别的产品，这会带来怎样的冲击？二维半导体这条新赛道，正悄然挑战传统硅基路径。 二维半导体技术在芯片制造领域逐渐展现潜力，这种材料厚度仅几个原子层，能实现更低的功耗和更好的热控。复旦大学研究团队早在2025年就推出了基于二硫化钼的微处理器，集成了数千个晶体管，证明了其在逻辑电路上的可行性。相比硅基芯片需要上千道工序，二硫化钼只需简单生长过程，就能形成平面结构，简化了离子注入等环节。原集微科技作为衍生企业，继承了这些成果，专注将实验室技术推向产业化。他们的示范线使用国产光刻设备，避免了对进口EUV的依赖，这在当前国际环境下尤为关键。初期聚焦90纳米等效制程，主要生产存储器和逻辑电路，逐步验证工艺稳定性。 融资支持加速了原集微的步伐，2025年底完成近亿元天使轮，资金用于设备采购和团队扩张。投资者包括多家创投机构，看好二维材料在低功耗领域的应用前景。示范线点亮后，团队开始调试设备，确保原子层沉积均匀。二维半导体不像硅基那样依赖精细雕琢，而是通过化学气相沉积自发生长，这降低了光刻机精度要求。使用DUV或K线设备，就能达到先进水平，适合中国现有制造能力。计划中，2026年实现小批量生产，输出兆字节级产品，满足边缘计算需求。这样的路径不追求短期取代硅基，而是补充其短板，尤其在移动设备和物联网上。 二维半导体的优势在于电学特性，二硫化钼带隙可调，能减少漏电，提高效率。研究显示，其晶体管在纳米尺度下表现稳定，避免了硅基的量子隧道效应。复旦团队的“无极”芯片就是例证，采用RISC-V架构，实现了32位运算，支持亿级指令集。这款芯片虽规模不大，但证明了二维材料的可扩展性。原集微继承此技术，构建了标准单元库，包括多种逻辑门。他们的工艺线占地近千平方米，配备洁净室和监测系统，确保生长过程无污染。初期产品瞄准低功耗场景，如无人机芯片，能延长电池寿命。国际上，类似研究多停留在实验室，中国这条线标志着工程化起步。 光刻机一直是芯片制造瓶颈，荷兰ASML垄断EUV市场，中国受出口管制影响大。二硫化钼技术绕开此问题，使用成熟国产设备如上海微电子的DUV机，就能推进制程。原集微规划显示，2027年目标等效28纳米，适用于中端处理器。二维材料生长速度快，理论上可缩短生产周期20%。团队强调，全链条自主，从材料合成到电路设计，避免外部依赖。2025年Nature论文中，复旦团队详述了工艺优化，使用AI算法调控参数，提高良率至99%以上。这为后续迭代提供了数据基础，原集微正据此调整生产线参数。
