台积电创始人张仲谋在接受纽约时报专访时说：美国、荷兰、日本、韩国与台湾牢牢控制着半导体关键节点，中国若想反制，几乎没有机会！

过去十多年里，美国牢牢控制芯片设计和核心EDA软件，全球约40%以上的芯片设计能力掌握在美企手里，美国的核心IP授权也主导全球设计环节。荷兰的ASML凭借极紫外光刻机（EUV）几乎垄断了先进制程的关键设备。

日本企业在硅晶圆、化学品和靶材等原材料方面市场占比极高。韩国的三星、SK海力士则在内存领域拥有全球领先产能。中国台湾省的台积电、高端逻辑芯片制造保持世界领先。这种“寡头式控制”确实使当时很多国家和地区对中国高端芯片产业形成了实质性的壁垒。

然而，时间到了2026年，中国半导体产业的底色已经悄然改变。过去两年里，中国在多个关键技术领域实现了突破。

2026年初，中核集团发布重大进展，自主研制的首台串列型高能氢离子注入机成功出束，这标志着长期以来被美、日等国垄断的核心设备，终于有了国产可替代的版本。据官方报道，该设备核心子系统实现100%国产化，效率比国际同类产品高50%，能耗更低，在工业化量产中表现稳定。

除了高能注入机外，中国在刻蚀机、薄膜沉积设备、检测设备等“半导体制造四大金刚”领域也有成效显现。官方数据显示，目前28纳米及以上成熟制程国产设备替代率已经突破40%。中芯国际、华虹半导体等本土晶圆厂正在批量装备国产先进设备，有效缓解过去依赖进口设备带来的风险。

在芯片设计和制造之外，中国在稀有材料领域也逐渐积累话语权。镓、锗等关键材料的供应链逐步国产化，这在过去是几乎完全依赖进口的环节。比亚迪等国内企业在新能源车用芯片、车规级功率器件领域实现了本土化量产，良率稳定且兼具性价比优势，这不仅降低了供应链风险，也为中国高端制造业提升了自主可控能力。

当然，现实仍需清醒面对。尽管中国在成熟制程上的突破令人鼓舞，在最尖端的2纳米、3纳米制程以及极紫外光刻机的自主研发上，还存在显著差距。业内权威机构分析指出，目前中国尚未大规模量产EUV光刻设备，极端条件下的微缩工艺仍依赖进口设备的配合支持。但这并不意味无路可走，而是体现了科技攻关本就是一场持久战、攻坚战。

中国的发展路径颇像马拉松，而不只是冲刺赛跑。稳扎稳打、循序渐进是主基调。从成熟制程突破开始，积累经验、培养人才、夯实工业链基础，再向先进制程推进，这一战略不仅真实可行，也符合中国制造业长期发展的逻辑。特别是国家层面对芯片产业的战略部署，从“卡脖子”清单、核心设备攻关计划，到产业基金支持、人才培养扶持，高度体现了顶层设计的前瞻性。

在此过程中，有一种声音值得关注：技术先进并非唯一衡量标准，自主可控、可靠安全同样重要。近年来，中国半导体企业逐渐摆脱“单一依赖”，构建起更具弹性、更本土化的供应链体系，这种韧性和底气，将在未来国际竞争中体现出更大的战略意义。

有人说，张仲谋当年那句话是绝对论，是“终局论”。但今天来看，它更像是一个起点——一个中国半导体产业奋起直追的起点。从“几乎没有机会”到逐步掌握关键技术链条，中国的步伐未曾停歇。

如今中国不仅在核心设备上实现突破，还在设计软件、材料工艺、系统集成等领域持续布局。中国半导体的未来，不再简单由外部力量决定，而是在自主创新与开放合作之间找到了新的平衡。或许距离最尖端还有距离，但中国走出了一条自己的路，这条路既不盲目，也不退缩，正一步步将不可能变成可能。