存储芯片今天的大跳水或是“好事当丧事办”了，真的天大误会……
消息上：三星、SK海力士推迟HBM混合键合技术导入，原定第六代HBM4未采用，或延至第七代HBM4E。主因还是厚度标准放宽及散热难题有解。此举延长传统TC键合工艺寿命，并影响封装设备商投资节奏。
个人观点：
三星、SK海力士推迟混合键合对于我们存储企业是有两大好处：
1️⃣意味着HBM4乃至HBM4E阶段仍将沿用成熟的TC键合工艺。这相当于行业技术升级的速度暂缓了，对我们存储芯片企业来说是大利好，给了我们更多时间窗口去追赶。
2️⃣国内厂商无需在下一代技术尚未成熟时被迫跟进，可以在现有TC键合工艺上积累量产经验、提升良率，缩小与头部厂商的差距，继续我们存储企业短期来说资金投入没那么紧张，且还能延长赚钱时间。
