不需要 EUV 光刻机了？外媒：中国从底层技术突破，封锁副作用来了 美国从 2018 年就紧锣密鼓地对中国半导体领域下绊子，EUV 光刻机成了最硬的 “卡脖子” 工具。 外媒一度以为封锁能让中国止步不前，没想到几年过去，路子越封越宽，中国愣是挖出了一条全新技术赛道，直接把西方的算盘打乱。这场没有硝烟的科技战，终于让世界看到，封锁未必真能挡住创新。 2019 年，美国把华为拉入实体清单，全球半导体供应链跟着一阵哆嗦。ASML 的 EUV 光刻机，成了中国晶圆厂可望不可及的 “传家宝”，只能用老旧的 DUV 设备凑合。 那时候，外媒分析中国芯片工艺落后了足足两代，7nm 以下迟迟突破不了，连尾款都被卡着不给。 台积电在 3nm 上高歌猛进，中国还在 7nm 徘徊，成本涨三四成，良率也上不去。2023 年，封锁手腕再升级，光刻胶和材料也被卡住，外媒直言中国的 “先进制程被锁死”。 美国原本是想靠这一招把中国半导体按在地上摩擦，没想到却意外暴露了西方自己对 EUV 技术的路径依赖，技术路线一旦单一，反而成了自己的软肋。 但中国人向来有股子不信邪的劲。2022 年 12 月，复旦大学周鹏、包文中、万景团队在《自然・电子学》（Nature Electronics）上发表论文，提出硅基与二硫化钼结合的异质 CFET 技术，通过材料创新开辟新方向。 这种异质 CFET 可在 28nm 以上成熟产线实现，开关比达 10⁶，芯片密度较同节点传统结构翻倍，原本被国际路线图规划到 1.4nm 节点的 CFET 技术，被提前适配到 7nm-5nm 级产线应用场景。 2023 年至 2024 年，技术持续推进，实现从 4 英寸到 8 英寸晶圆的升级，并完成国内厂商的兼容性测试。 2025 年，该团队相继推出 “无极” 32 位 RISC-V 处理器和全球首颗二维 - 硅基混合架构闪存芯片，两项成果均发表于《自然》主刊，验证了二维材料在芯片全链条应用的可行性。 这一波操作，让 DUV 产线在晶体管密度、能效等核心指标上实现跨代提升，逼近 3nm 工艺水平，而成本远低于 EUV 路线。Tom's Hardware 评论称其为 “突破性整合”，肯定中国走出了一条成本低、潜力大的材料创新新路。 回头看，美国本想靠封锁镇住中国，结果副作用却让全球半导体格局起了波澜。2025 年，Tom's Hardware 在相关报道中提及，中国绕开 EUV 的技术路径，展现出显著成本优势。 西方用 EUV 砸下上百亿美元，中国却用 DUV 和新材料玩出了新高度。华为 Mate 60 Pro 的 7nm 芯片已经证明了 DUV 路线的可行性，再加上异质 CFET 这样的技术突破，中国用现有产线就能在核心性能上对标 3nm 工艺。 英国媒体分析，西方赖以自豪的摩尔定律路线，正被中国新思路撼动。随着技术从实验室向产线过渡，2026 年若能实现相关技术的小批量量产，有望重塑 AI 芯片市场的竞争格局。 封锁等于是逼着中国提前切入后摩尔时代，从追赶者成长为后摩尔时代部分技术路线的重要探索者。 这一出科技大戏，说到底全靠中国的创新。美国封锁本想卡住中国的脖子，结果却变成了催化剂，让中国底层技术发生质变。二维材料和异质 CFET 架构，不光绕开了 EUV 的高门槛，还在成本和性能上找到了突破口。 现在外媒也开始反思，技术封锁的副作用远超预期。只要创新不止，封锁就成了过去时。 如果 2026 年中国真把新一代芯片相关技术落地量产，全球半导体供应链会迎来新格局。归根结底，创新才是科技战里最大的底气。
