磷化铟，化学式InP，作为第二代半导体材料，有着独特魅力。它常温下是银灰色固体，极微溶于无机酸，熔点达1070°C。其多晶合成有水平布里奇曼法等，单晶制备方法也不少。磷化铟优点众多，饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强等，在光通信、高频毫米波器件等领域广泛应用，像光波导器件、高电子迁移率晶体管等都离不开它。不过，它被列为2A类致癌物，使用时得注意。在市场方面，随着AI数据中心发展，磷化铟需求激增。预计2026年全球磷化铟衬底市场规模达2.02亿美元，销量128.19万片，但目前供需缺口超70%，光芯片产能扩张成短板。
